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原子層沉積(ALD)背鈍化技術簡介

產品與技術

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1)通過與表面Si原子形成Si-H鍵減少Si晶表面缺陷密度。

2)氧化鋁材料表面較高密度負電荷形成“場效應”,減少硅表面少子密度。從而到達降低表面復合數量,延長載流子壽命密度,提高Voc,Jsc并最終提高電池效率的目的。

 

PERC電池工藝路線

原子層沉積氧化鋁作為太陽能電池鈍化材料具有制備溫度低、鈍化效果優良、適用范圍廣等眾多優點。非常適用于N型高效電池的發射極及P型高效電池背表面的鈍化(PERC)。氧化鋁背鈍化工藝只需在現有電池生產工藝基礎上增加氧化鋁鍍膜和激光劃線兩步,與其它高效太陽能電池工藝相比,技術難度較小,設備投資成本低,是高效太陽能電池的下一個技術方向。

 

理想能源設備ALD背鈍化機臺特征:

業內首創平板In-Line Batch ALD方式

   In-Line ALD方式的單層原子層沉積鍍膜

   更高的PERC電池效率

1.  業內成熟的量產ALD設備

該平臺在多個客戶處量產,已形成的高效電池片量產產能達到15GW以上。設備運行穩定、維護方便、運行成本低、最終產品轉換效率高等特點廣受客戶好評,在多個客戶處與競爭對手的對比中勝出。

2.  工藝窗口寬,可以快速實現大規模穩定量產

單面ALD鍍膜保證量產效率穩定,且最終效率優于其他同類設備;獨特的背面PECVD工藝,可以減少背面氮化硅退火和鍍膜時間,減少管式PECVD配置數量,為客戶節省投資資金。

3.  優良的鈍化效果,N型電池更高的效率

ALD單面氧化鋁鍍膜可以適應各種電池鈍化要求,N-topcon電池更好的鈍化效果,并且已經在客戶產線完成大規模量產驗證,優于市面同類設備。

4.  單面鍍膜,繞鍍最少

獨特的非鏤空托盤式結構傳輸方式保證單面鍍膜,繞鍍小于0.5mm。 同時相比硅片直接傳輸方式等,碎片率降至最低;最大程度減少了由于碎片造成的停機和維護保養時間。

5.  獨特工藝窗口保證產能不受鍍膜厚度影響

在加快單位面積內沉積速度的同時保證了ALD反應成膜質量,5-10nm區間內產能不隨鍍膜厚度增加而降低。更加適配PERC雙面電池,在減少背面氮化硅厚度的同時增加氧化鋁厚度,穩定電池效率。

 

ALD背鈍化機臺及電池性能












 數據表明,采用理想晶延?ALD背鈍化設備可提升P型多晶電池轉化效率0.7%以上,P型單晶電池轉化效率1.1%以上,該設備和工藝已  被多家太陽能電池生產廠家所驗證


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